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igbt模塊的特點(diǎn)說明

日期:2024-09-20 16:57
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摘要: IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。 在IGBT使用過程中,可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小,從而實(shí)現(xiàn)對IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。 1)當(dāng)IGBT柵-射極加上加0或負(fù)電壓時,MOSFET內(nèi)溝道消失,IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。 2)當(dāng)集-射極電壓UCE<0時,J3的PN結(jié)處于反偏,IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。 3)當(dāng)集-射極電壓UCE>0時,分兩種情況: ...
    IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。

   在IGBT使用過程中,可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小,從而實(shí)現(xiàn)對IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。

    1)當(dāng)IGBT柵-射極加上加0或負(fù)電壓時,MOSFET內(nèi)溝道消失,IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。

    2)當(dāng)集-射極電壓UCE<0時,J3的PN結(jié)處于反偏,IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。

    3)當(dāng)集-射極電壓UCE>0時,分兩種情況:

     若柵-射極電壓UGE<Uth,溝道不能形成,IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。

     若柵-射極電壓UGE>Uth ,柵極溝道形成,IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)(正常工作)。此時,空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減少N基區(qū)電阻RN的值,使IGBT通態(tài)壓降降低。

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